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IPB095N20NM6ATMA1

IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPB095N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Technische Details IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm.

Weitere Produktangebote IPB095N20NM6ATMA1 nach Preis ab 4.76 EUR bis 15.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB095N20NM6ATMA1 IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141 Description: IPB095N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.39 EUR
10+7.63 EUR
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IPB095N20NM6ATMA1 IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_04-04-2025_DS_IPB095N20NM6_1_0_final.pdf MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
auf Bestellung 2142 Stücke:
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1+12.17 EUR
10+7.96 EUR
100+6.76 EUR
1000+5.84 EUR
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IPB095N20NM6ATMA1 IPB095N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141 Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.67 EUR
25+9.6 EUR
100+6.49 EUR
500+5.84 EUR
1000+5.33 EUR
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IPB095N20NM6ATMA1 IPB095N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141 Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.67 EUR
25+9.6 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPB095N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
auf Bestellung 2451 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
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IPB095N20NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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IPB095N20NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
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auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.67 EUR
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