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IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies


Infineon_04-04-2025_DS_IPB095N20NM6_1_0_final.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
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Technische Details IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB095N20NM6ATMA1 IPB095N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141 Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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16+16.54 EUR
24+10.04 EUR
100+7.88 EUR
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IPB095N20NM6ATMA1 IPB095N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141 Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Hersteller: INFINEON
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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