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IPB039N10N3 G

IPB039N10N3 G Infineon Technologies

Infineon_IPB039N10N3G_DS_v02_03_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
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Technische Details IPB039N10N3 G Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 160A, Pulsed drain current: 640A, Power dissipation: 214W, Case: TO263-7, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 88nC, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry.

Weitere Produktangebote IPB039N10N3 G nach Preis ab 3.44 EUR bis 4.56 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB039N10N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 214W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 214W
Case: TO263-7
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On-state resistance: 3.9mΩ
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