IPB039N10N3 G Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.39 EUR |
| 10+ | 4.16 EUR |
| 100+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.53 EUR |
| 1000+ | 2.14 EUR |
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Technische Details IPB039N10N3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 160A, Pulsed drain current: 640A, Power dissipation: 214W, Case: TO263-7, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 88nC, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote IPB039N10N3 G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB039N10N3G | Infineon technologies |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| IPB039N10N3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Pulsed drain current: 640A Power dissipation: 214W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
auf Bestellung 281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB039N10N3G |
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IPB039N10N3 G |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 214W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 214W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)