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IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB033N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b2555273c6a
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IPB033N10N5LFATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 179W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.

Weitere Produktangebote IPB033N10N5LFATMA1 nach Preis ab 4.06 EUR bis 12.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1 INFINEON Infineon-IPB033N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b2555273c6a Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.21 EUR
200+5.19 EUR
500+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB033N10N5LF-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.5 EUR
10+6.75 EUR
100+4.99 EUR
500+4.24 EUR
1000+4.06 EUR
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IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb033n10n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.36 EUR
19+9.15 EUR
25+8.53 EUR
100+6.75 EUR
250+6.41 EUR
500+5.69 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb033n10n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.36 EUR
19+9.35 EUR
25+8.85 EUR
100+7.13 EUR
250+6.95 EUR
500+6.33 EUR
1000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
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Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V
auf Bestellung 1772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.91 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1 INFINEON 3982294.pdf Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1899 Stücke:
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20+12.52 EUR
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50+6 EUR
200+5.09 EUR
500+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPB033N10N5LFATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
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Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 556 Stücke:
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MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
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Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+11.36 EUR
19+9.35 EUR
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100+7.13 EUR
250+6.95 EUR
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1000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPB033N10N5LFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V
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2+11.91 EUR
10+7.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1899 Stücke:
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20+12.52 EUR
32+7.47 EUR
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