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IPB051N15NM6ATMA1

IPB051N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
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Technische Details IPB051N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 139A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 234W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipb051n15nm6datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
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usEccn: EAR99
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.64 EUR
500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB051N15NM6_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
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IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 Infineon Technologies DS_IPB051N15NM6_en.pdf Description: TRENCH >=100V
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10+4.86 EUR
50+3.75 EUR
100+3.4 EUR
500+2.81 EUR
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IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
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Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB051N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
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IPB051N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 800 Stücke:
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