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IPB100N12S305ATMA1

IPB100N12S305ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0aced7fe9
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IPB100N12S305ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IPB100N12S305ATMA1 nach Preis ab 4.01 EUR bis 12.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 Infineon Technologies fineonippbi100n12s305datasheet02infineondatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+4.84 EUR
500+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+4.84 EUR
500+4.55 EUR
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auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+4.84 EUR
500+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 INFINEON 2849742.pdf Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.3 EUR
500+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 INFINEON 2849742.pdf Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.88 EUR
40+5.89 EUR
100+4.52 EUR
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auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.37 EUR
26+6.59 EUR
100+4.71 EUR
500+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.38 EUR
26+6.75 EUR
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auf Bestellung 408 Stücke:
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10+7.52 EUR
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500+4.96 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
auf Bestellung 3244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.09 EUR
10+8.08 EUR
50+6.37 EUR
100+5.81 EUR
500+5.02 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 700 Stücke:
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500+4.55 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 788 Stücke:
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100+6.3 EUR
500+5.78 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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40+5.89 EUR
100+4.52 EUR
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Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+9.37 EUR
26+6.59 EUR
100+4.71 EUR
500+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+9.38 EUR
26+6.75 EUR
100+4.9 EUR
500+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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MOSFETs N-CHANNEL 100+
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AnzahlPrivatkunde
1+11.21 EUR
10+7.52 EUR
100+5.4 EUR
500+4.96 EUR
1000+4.63 EUR
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Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
auf Bestellung 3244 Stücke:
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2+12.09 EUR
10+8.08 EUR
50+6.37 EUR
100+5.81 EUR
500+5.02 EUR
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