IPB107N20N3 G Infineon Technologies
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Technische Details IPB107N20N3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 88A, Pulsed drain current: 352A, Power dissipation: 300W, Case: D2PAK-3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: single transistor.
Weitere Produktangebote IPB107N20N3 G nach Preis ab 10.63 EUR bis 14.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPB107N20N3 G | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB107N20N3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Pulsed drain current: 352A Power dissipation: 300W Case: D2PAK-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor |
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Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB107N20N3 G |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 14.65 EUR |
| 25+ | 13.77 EUR |
| 50+ | 12.94 EUR |
| 100+ | 12.2 EUR |
| 250+ | 11.64 EUR |
| 500+ | 11.15 EUR |
| 1000+ | 10.63 EUR |
| IPB107N20N3 G |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
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