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IPB107N20N3 G

IPB107N20N3 G Infineon Technologies

Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Technische Details IPB107N20N3 G Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 88A, Pulsed drain current: 352A, Power dissipation: 300W, Case: D2PAK-3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: single transistor.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB107N20N3 G IPB107N20N3 G Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB107N20N3G IPB107N20N3G Infineon info-tipb107n20n3g.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB107N20N3GATMA1; IPB107N20N3G INFINEON TIPB107n20n3g
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IPB107N20N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB107N20N3G
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB107N20N3GATMA1; IPB107N20N3G INFINEON TIPB107n20n3g
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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IPB107N20N3 G
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
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