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IPB120P04P404ATMA2

IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies

infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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3000+2.25 EUR
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IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 INFINEON INFN-S-A0001299314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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200+3.37 EUR
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auf Bestellung 15000 Stücke:
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IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 959 Stücke:
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29+6.03 EUR
43+3.97 EUR
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IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 959 Stücke:
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29+6.05 EUR
43+4.07 EUR
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500+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3061 Stücke:
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3+7.2 EUR
10+4.7 EUR
50+3.63 EUR
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IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 INFINEON INFN-S-A0001299314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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46+5.08 EUR
54+4.02 EUR
200+3.37 EUR
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IPB120P04P404ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+2.25 EUR
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IPB120P04P404ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.02 EUR
200+3.37 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB120P04P404ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.46 EUR
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IPB120P04P404ATMA2 infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf
IPB120P04P404ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.03 EUR
43+3.97 EUR
100+2.75 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IPB120P04P404ATMA2 infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf
IPB120P04P404ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.05 EUR
43+4.07 EUR
100+2.87 EUR
500+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120P04P404ATMA2 Infineon_IPP_B_I120P04P4_04_DS_v01_01_EN.pdf
IPB120P04P404ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 4912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.08 EUR
10+4.63 EUR
100+3.25 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.49 EUR
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IPB120P04P404ATMA2 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
IPB120P04P404ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.2 EUR
10+4.7 EUR
50+3.63 EUR
100+3.28 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPB120P04P404ATMA2 INFN-S-A0001299314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 547 Stücke:
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30+8.4 EUR
46+5.08 EUR
54+4.02 EUR
200+3.37 EUR
500+2.74 EUR
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