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IPB180N04S4-H0 Infineon Technologies


Infineon_IPB180N04S4_H0_DS_v01_00_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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Technische Details IPB180N04S4-H0 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 1.1mΩ, Mounting: SMD, Power dissipation: 250W, Gate charge: 173nC, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ T2, Drain current: 180A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TO263-7.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB180N04S4H0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Gate charge: 173nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
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IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Gate charge: 173nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
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