IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Gate charge: 173nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 4.43 EUR |
| 23+ | 3.76 EUR |
| 25+ | 3.42 EUR |
| 29+ | 2.98 EUR |
| 50+ | 2.69 EUR |
| 100+ | 2.4 EUR |
| 250+ | 2.23 EUR |
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Technische Details IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 1.1mΩ, Mounting: SMD, Power dissipation: 250W, Gate charge: 173nC, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ T2, Drain current: 180A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TO263-7.
Weitere Produktangebote IPB180N04S4H0ATMA1 nach Preis ab 2.57 EUR bis 8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPB180N04S4-H0 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 |
auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB180N04S4-H0 | Infineon |
auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB180N04S4-H0 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8 EUR |
| 10+ | 5.24 EUR |
| 100+ | 3.92 EUR |
| 500+ | 3.28 EUR |
| 1000+ | 2.76 EUR |
| 2000+ | 2.7 EUR |
| 5000+ | 2.57 EUR |
| IPB180N04S4-H0 |
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)