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IPB180N04S4LH0ATMA1 INFINEON

Name: IPB180N04S4LH0ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 146180-4
Price: 6.72 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4LH0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm

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Technische Details IPB180N04S4LH0ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB180N04S4LH0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm.

Weitere Produktangebote IPB180N04S4LH0ATMA1

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
IPB180N04S4LH0ATMA1	Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24440 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB180N04S4LH0ATMA1	Infineon Technologies	MOSFETs N-CHANNEL 30/40V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB180N04S4LH0ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB180N04S4LH0ATMA1	Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB180N04S4LH0ATMA1	Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4LH0ATMA1

Infineon-IPB180N04S4LH010-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670cf90ea6434

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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IPB180N04S4LH0ATMA1

Infineon_IPB180N04S4LH010_DS_v01_00_en.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-CHANNEL 30/40V

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IPB180N04S4LH0ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IPB180N04S4LH0ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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IPB180N04S4LH0ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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