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IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb180n08s4-02-datasheet-v01_11-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPB180N08S402ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 277W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 2332 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 2332 Stücke:
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28+8.59 EUR
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Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33 Stücke:
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2+14.96 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+5.84 EUR
500+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 2332 Stücke:
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500+6.88 EUR
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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24+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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MOSFET N-CHANNEL 75/80V
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10+9.45 EUR
25+8.9 EUR
100+7.64 EUR
250+7.2 EUR
500+6.81 EUR
1000+5.78 EUR
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Description: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33 Stücke:
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