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IPB200N15N3GATMA1

IPB200N15N3GATMA1 Infineon Technologies

IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
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Technische Details IPB200N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB200N15N3GATMA1 IPB200N15N3GATMA1 Infineon Technologies 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.57 EUR
46+3.76 EUR
100+2.63 EUR
500+2.12 EUR
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auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.57 EUR
46+3.68 EUR
100+2.53 EUR
500+2 EUR
1000+1.77 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1145 Stücke:
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45+5.65 EUR
51+4.57 EUR
100+3.53 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2692 Stücke:
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3+7.1 EUR
10+4.64 EUR
100+3.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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500+2.12 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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46+3.68 EUR
100+2.53 EUR
500+2 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IPB200N15N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.1 EUR
10+4.64 EUR
100+3.24 EUR
500+2.64 EUR
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