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IPB60R060P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPB60R060P7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
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Technische Details IPB60R060P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 30A, Power dissipation: 164W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 67nC, Kind of package: reel.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB60R060P7 IPB60R060P7 Infineon Technologies Infineon_IPB60R060P7_DS_v02_01_EN-3362477.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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