IPB60R060P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 6.93 EUR |
| 15+ | 5.74 EUR |
| 17+ | 5.21 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPB60R060P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 30A, Power dissipation: 164W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 67nC, Kind of package: reel.
Weitere Produktangebote IPB60R060P7ATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
IPB60R060P7 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB60R060P7 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


