Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R060P7ATMA1
IPB60R060P7ATMA1

IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 164W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPB60R060P7ATMA1 nach Preis ab 3.31 EUR bis 8.13 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPB60R060P7_DS_v02_01_EN-3362477.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.41 EUR
10+5.65 EUR
100+4.45 EUR
500+4.36 EUR
1000+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.13 EUR
10+6.02 EUR
100+4.37 EUR
500+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1
Produktcode: 208315
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89680FE3A9654F3D6&compId=IPB60R060P7.pdf?ci_sign=ce2fbf2f237547b81b51c17c17d79d3436fb6d82 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89680FE3A9654F3D6&compId=IPB60R060P7.pdf?ci_sign=ce2fbf2f237547b81b51c17c17d79d3436fb6d82 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH