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IPB60R060P7ATMA1

Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f
Produktcode: 208315
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
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IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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10+5.35 EUR
100+4.24 EUR
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IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
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2+9.61 EUR
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100+4.62 EUR
500+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 888 Stücke:
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IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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