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IPB60R099CPATMA1

IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies

IPB60R099CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ded51491b
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 255W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm.

Weitere Produktangebote IPB60R099CPATMA1 nach Preis ab 5.26 EUR bis 16.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.57 EUR
24+7.18 EUR
26+6.33 EUR
100+5.59 EUR
250+5.26 EUR
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IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.57 EUR
24+7.33 EUR
26+6.57 EUR
100+5.9 EUR
250+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R099CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ded51491b Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
auf Bestellung 4360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.64 EUR
10+8.63 EUR
100+6.65 EUR
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IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 INFINEON INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.4 EUR
21+11.07 EUR
100+7.65 EUR
500+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB60R099CP_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.58 EUR
10+9.57 EUR
100+7.2 EUR
500+6.76 EUR
1000+6.33 EUR
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IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 INFINEON INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.4 EUR
24+10.07 EUR
100+7.18 EUR
500+6.91 EUR
1000+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPB60R099CPATMA1 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.57 EUR
24+7.18 EUR
26+6.33 EUR
100+5.59 EUR
250+5.26 EUR
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IPB60R099CPATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.57 EUR
24+7.33 EUR
26+6.57 EUR
100+5.9 EUR
250+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IPB60R099CPATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
auf Bestellung 4360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.64 EUR
10+8.63 EUR
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IPB60R099CPATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.4 EUR
21+11.07 EUR
100+7.65 EUR
500+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.58 EUR
10+9.57 EUR
100+7.2 EUR
500+6.76 EUR
1000+6.33 EUR
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IPB60R099CPATMA1 INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R099CPATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.4 EUR
24+10.07 EUR
100+7.18 EUR
500+6.91 EUR
1000+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH