Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IPB60R125C6ATMA1

IPB60R125C6ATMA1

IPB60R125C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc2012400cb0d9d5d2d
Produktcode: 210840
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IPB60R125C6ATMA1 nach Preis ab 3.05 EUR bis 8.13 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPB60R125C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc2012400cb0d9d5d2d Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPB60R125C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc2012400cb0d9d5d2d Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V
auf Bestellung 1004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.13 EUR
10+5.42 EUR
100+3.88 EUR
500+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0004583435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R125C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf IPB60R125C6ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf IPB60R125C6ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPB60R125C6_DS_v02_03_EN-3362377.pdf MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH