IPB60R145CFD7ATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
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Technische Details IPB60R145CFD7ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm.
Weitere Produktangebote IPB60R145CFD7ATMA1 nach Preis ab 3.06 EUR bis 10.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPB60R145CFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB60R145CFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB60R145CFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm |
auf Bestellung 763 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R145CFD7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.66 EUR |
| 10+ | 5.07 EUR |
| 100+ | 3.56 EUR |
| 500+ | 3.28 EUR |
| 1000+ | 3.14 EUR |
| 2000+ | 3.06 EUR |
| IPB60R145CFD7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.79 EUR |
| 10+ | 5.13 EUR |
| 100+ | 3.62 EUR |
| 500+ | 3.32 EUR |
| IPB60R145CFD7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.22 EUR |
| 38+ | 6.22 EUR |
| 100+ | 4.28 EUR |
| 500+ | 3.37 EUR |