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IPB60R299CPATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB60R299CP-DS-v02_00-en-1227015.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CP

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Technische Details IPB60R299CPATMA1 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ CP, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11A, Power dissipation: 96W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.299Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.

Weitere Produktangebote IPB60R299CPATMA1

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IPB60R299CPATMA1	Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R299CPATMA1

IPB60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d30161ca0c0b

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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