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IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPB60R360P7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
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Technische Details IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 6A, Power dissipation: 41W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.36Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 13nC, Kind of package: reel.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB60R360P7 Infineon
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IPB60R360P7
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