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IPB65R095C7ATMA2

IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPB65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142092311ad00e6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Technische Details IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IPB65R095C7ATMA2 nach Preis ab 3.56 EUR bis 10.01 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies 3637ds_ipb65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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auf Bestellung 1570 Stücke:
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124+4.44 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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auf Bestellung 326 Stücke:
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25+5.87 EUR
28+5.25 EUR
50+4.61 EUR
100+4.33 EUR
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21+7.12 EUR
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auf Bestellung 114000 Stücke:
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IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142092311ad00e6 Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
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IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 INFINEON 2255640.pdf Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 INFINEON 2255640.pdf Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 326 Stücke:
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AnzahlPreis
25+5.87 EUR
28+5.25 EUR
50+4.61 EUR
100+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
21+7.12 EUR
29+5.12 EUR
100+3.8 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 114000 Stücke:
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1000+8.78 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
auf Bestellung 2412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+9.66 EUR
10+6.48 EUR
100+4.66 EUR
500+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB65R095C7ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 1066 Stücke:
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1+10.01 EUR
10+6.55 EUR
100+4.86 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.24 EUR
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IPB65R095C7ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPB65R095C7ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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