IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 3.94 EUR |
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Technische Details IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPB65R095C7ATMA2 nach Preis ab 3.25 EUR bis 10.01 EUR
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IPB65R095C7ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB65R095C7ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB65R095C7ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB65R095C7ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V |
auf Bestellung 2412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB65R095C7ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
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IPB65R095C7ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB65R095C7ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB65R095C7ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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