IPB65R150CFDATMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 2.29 EUR |
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Technische Details IPB65R150CFDATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 195.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195.3W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPB65R150CFDATMA2 nach Preis ab 2.59 EUR bis 6.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IPB65R150CFDATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB65R150CFDATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB65R150CFDATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 195.3W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB65R150CFDATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 195.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 195.3W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |