IPB65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 1.4 EUR |
| 2000+ | 1.3 EUR |
| 3000+ | 1.28 EUR |
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Technische Details IPB65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFDA, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPB65R660CFDAATMA1 nach Preis ab 1.22 EUR bis 4.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 6A D2PAK-2 |
auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 4006 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB65R660CFDAATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IPB65R660CFDAATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB65R660CFDAATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 49+ | 3.01 EUR |
| 77+ | 1.88 EUR |
| 78+ | 1.82 EUR |
| 79+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 250+ | 1.4 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| IPB65R660CFDAATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 6A D2PAK-2
MOSFETs N-Ch 650V 6A D2PAK-2
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.01 EUR |
| 10+ | 2.41 EUR |
| 100+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
| 2000+ | 1.22 EUR |
| IPB65R660CFDAATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4.28 EUR |
| 10+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 1.89 EUR |
| 500+ | 1.52 EUR |
| IPB65R660CFDAATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 62.5W
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| IPB65R660CFDAATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB65R660CFDAATMA1 |
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)