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IPB720P15LMATMA1

IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 75 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Technische Details IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0601ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb720p15lm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb720p15lm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 INFINEON 3624246.pdf Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0601ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 135 Stücke:
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32+5.47 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 75 V
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IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
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Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 41A
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Verlustleistung: 300W
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0601ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
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Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
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32+5.47 EUR
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auf Bestellung 135 Stücke:
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32+5.36 EUR
33+4.9 EUR
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auf Bestellung 1910 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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23+7.74 EUR
50+6.9 EUR
100+6.52 EUR
200+6.24 EUR
500+5.78 EUR
1000+5.24 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 41A (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 75 V
auf Bestellung 1584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.44 EUR
10+6.37 EUR
100+4.68 EUR
500+4.56 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 7252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.82 EUR
10+7.72 EUR
100+5.7 EUR
500+5.07 EUR
1000+4.49 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: p-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
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