IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 4.22 EUR |
| 31+ | 2.81 EUR |
| 35+ | 2.49 EUR |
| 100+ | 2.17 EUR |
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Technische Details IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 55V, Drain current: 80A, Power dissipation: 210W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 95nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S2L-07 | Infineon |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB80N06S2L-07 |
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)