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IPC100N04S51R2ATMA1

IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies

1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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224+0.75 EUR
230+0.7 EUR
232+0.67 EUR
233+0.64 EUR
250+0.62 EUR
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IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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5000+1.36 EUR
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IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
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118+1.56 EUR
250+1.5 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.21 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
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298+2.2 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.75 EUR
10000+1.52 EUR
100000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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500+1.94 EUR
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100000+1.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
138+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+3.4 EUR
108+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPC100N04S5_1R2_DS_v01_03_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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1+4.76 EUR
10+2.73 EUR
100+2.09 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.7 EUR
2500+1.61 EUR
5000+1.4 EUR
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IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.9 EUR
10+3.15 EUR
100+2.17 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP IPC100N04S51R2ATMA1 TIPC100n04s51r2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+16.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPC100N04S51R2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IPC100N04S51R2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
131+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
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AnzahlPrivatkunde
131+1.33 EUR
224+0.75 EUR
230+0.7 EUR
232+0.67 EUR
233+0.64 EUR
250+0.62 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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IPC100N04S51R2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S51R2ATMA1 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
118+1.56 EUR
250+1.5 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.21 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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IPC100N04S51R2ATMA1 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 176515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
298+2.2 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.75 EUR
10000+1.52 EUR
100000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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IPC100N04S51R2ATMA1 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 823578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
298+2.2 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.75 EUR
10000+1.52 EUR
100000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S51R2ATMA1 1426695925562716infineon-ipc100n04s5-1r2-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
298+2.2 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee
IPC100N04S51R2ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
138+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPC100N04S51R2ATMA1 INFN-S-A0003614497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPC100N04S51R2ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+3.4 EUR
108+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon_IPC100N04S5_1R2_DS_v01_03_EN.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 19895 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.76 EUR
10+2.73 EUR
100+2.09 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.7 EUR
2500+1.61 EUR
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IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee
IPC100N04S51R2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.9 EUR
10+3.15 EUR
100+2.17 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.62 EUR
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IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP IPC100N04S51R2ATMA1 TIPC100n04s51r2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+16.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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