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IPC100N04S5L1R5ATMA1

IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPC100N04S5L-1R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d5753a01605e
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Technische Details IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Technologies 90540867321762infineon-ipc100n04s5l-1r5-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed760.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+1.76 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
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auf Bestellung 5190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+1.76 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
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auf Bestellung 38019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+1.76 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
10000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
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IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 INFINEON 2718770.pdf Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
116+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.5 EUR
78+2.21 EUR
100+2 EUR
200+1.44 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC100N04S5L-1R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d5753a01605e Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.87 EUR
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IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 INFINEON 2718770.pdf Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
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Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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51+4.93 EUR
79+2.98 EUR
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500+1.49 EUR
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IPC100N04S5L1R5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
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Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
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IPC100N04S5L1R5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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Qualifikation: AEC-Q101
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
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Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.98 EUR
116+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPC100N04S5L1R5ATMA1 90540867321762infineon-ipc100n04s5l-1r5-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625696ed760.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.5 EUR
78+2.21 EUR
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500+1.33 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5023 Stücke:
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5+4.32 EUR
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Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4870 Stücke:
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51+4.93 EUR
79+2.98 EUR
116+1.86 EUR
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