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IPC302N15N3X7SA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MV POWER MOS
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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Technische Details IPC302N15N3X7SA1 Infineon Technologies

Description: MV POWER MOS, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: Die, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: Die, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPC302N15N3X7SA1 Infineon Technologies DS_IPC302N15N3_2_5-793257.pdf MOSFET MV POWER MOS
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IPC302N15N3X7SA1 DS_IPC302N15N3_2_5-793257.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MV POWER MOS
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