Technische Details IPC313N10N3RX1SA2 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; DPAK3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 2A, Case: DPAK3, On-state resistance: 0.1Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote IPC313N10N3RX1SA2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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IPC313N10N3RX1SA2 | Infineon Technologies |
 MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPC313N10N3RX1SA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2A Case: DPAK3 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPC313N10N3RX1SA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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Mindestbestellmenge: 4250 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IPC313N10N3RX1SA2 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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