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IPC50N04S5L5R5ATMA1

IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon Technologies 475905149171998infineon-ipc50n04s5l-5r5-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
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IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1209 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 INFINEON 2354652.pdf Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.12 EUR
130+1.8 EUR
250+1.3 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.87 EUR
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IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 INFINEON 2354652.pdf Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
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100+3.12 EUR
130+1.8 EUR
250+1.3 EUR
1000+0.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1209 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 9261 Stücke:
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80+3.12 EUR
130+1.8 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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100+3.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
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