IPD025N06N Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 3.84 EUR |
| 50+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 3.44 EUR |
| 250+ | 3.26 EUR |
| 500+ | 3.13 EUR |
| 1000+ | 3 EUR |
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Technische Details IPD025N06N Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; Idm: 360A; 167W; DPAK3, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 90A, Power dissipation: 167W, Case: DPAK3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 360A, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote IPD025N06N nach Preis ab 2.07 EUR bis 6.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPD025N06N | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 |
auf Bestellung 12630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD025N06N | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; Idm: 360A; 167W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 167W Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 360A Application: automotive industry |
auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD025N06N |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2
MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2
auf Bestellung 12630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.24 EUR |
| 10+ | 4.06 EUR |
| 100+ | 2.84 EUR |
| 500+ | 2.39 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
| 2500+ | 2.07 EUR |
| IPD025N06N |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; Idm: 360A; 167W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; Idm: 360A; 167W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Application: automotive industry
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)