| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.84 EUR |
| 12+ | 1.8 EUR |
| 100+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
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Technische Details IPD060N03LG UMW
Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 50, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 56, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2, Verlustleistung: 56, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPD060N03LG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPD060N03LG | UMW |
 Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPD060N03L G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPD060N03L G | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 50 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 56 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 Verlustleistung: 56 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD060N03LG |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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| IPD060N03L G |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
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| IPD060N03L G |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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