IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD068N10N3GATMA1 nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.81 EUR
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IPD068N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD068N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD068N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD068N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V |
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IPD068N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD068N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD068N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
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IPD068N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V |
auf Bestellung 8128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD068N10N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPD068N10N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPD068N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD068N10N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 90A; 150W; DPAK,TO252; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 150W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 6.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Gate charge: 51nC |
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