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IPD100N04S402ATMA1

IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies

infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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5000+1.29 EUR
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500+1.82 EUR
1000+1.64 EUR
10000+1.44 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 36198 Stücke:
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100+2.78 EUR
110+1.95 EUR
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auf Bestellung 7444 Stücke:
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58+3.02 EUR
100+1.99 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.18 EUR
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 36188 Stücke:
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55+4.59 EUR
83+2.81 EUR
111+1.93 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1676 Stücke:
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5+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.36 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 94899 Stücke:
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318+2.06 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.64 EUR
10000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
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IPD100N04S402ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 36198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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110+1.95 EUR
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1000+1.38 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
58+3.02 EUR
100+1.99 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.18 EUR
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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58+3.02 EUR
100+2.03 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.44 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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IPD100N04S402ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 36188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.59 EUR
83+2.81 EUR
111+1.93 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.38 EUR
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IPD100N04S402ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1676 Stücke:
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10+3.01 EUR
100+2.06 EUR
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1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: Infineon
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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