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IPD100N06S403ATMA2

IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies

INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

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IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD100N06S4_03_DS_v01_00_en-1227019.pdf MOSFET MOSFET
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IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Hersteller : INFINEON INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
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IPD100N06S403ATMA2 Hersteller : Infineon INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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IPD100N06S403ATMA2 Hersteller : Infineon INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies ipd100n06s4-03_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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