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IPD100N06S403ATMA2

IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies

INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Weitere Produktangebote IPD100N06S403ATMA2 nach Preis ab 1.11 EUR bis 12.6 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 INFINEON 2820329.pdf Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 22623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
10000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 325000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
10000+1.64 EUR
100000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.07 EUR
85+1.99 EUR
86+1.88 EUR
87+1.78 EUR
105+1.43 EUR
250+1.33 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.07 EUR
85+2.03 EUR
86+1.95 EUR
87+1.89 EUR
105+1.55 EUR
250+1.49 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD100N06S4_03_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 3713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.42 EUR
100+2.34 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.77 EUR
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IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.03 EUR
10+3.92 EUR
100+2.71 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 INFINEON 2820329.pdf Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.12 EUR
71+3.27 EUR
100+2.23 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon TIPD100n06s403_INFINEON_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+12.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPD100N06S403ATMA2 2820329.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.23 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD100N06S403ATMA2 infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 22623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
10000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2 infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 325000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
10000+1.64 EUR
100000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.07 EUR
85+1.99 EUR
86+1.88 EUR
87+1.78 EUR
105+1.43 EUR
250+1.33 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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IPD100N06S403ATMA2 infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf
IPD100N06S403ATMA2
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Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.07 EUR
85+2.03 EUR
86+1.95 EUR
87+1.89 EUR
105+1.55 EUR
250+1.49 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPD100N06S403ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 3713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.34 EUR
10+3.42 EUR
100+2.34 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.77 EUR
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IPD100N06S403ATMA2 INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD100N06S403ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.03 EUR
10+3.92 EUR
100+2.71 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2 2820329.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.12 EUR
71+3.27 EUR
100+2.23 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403_INFINEON_0001.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+12.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2 INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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