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IPD12CN10NGATMA1

IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm.

Weitere Produktangebote IPD12CN10NGATMA1 nach Preis ab 1.33 EUR bis 4.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD12CN10NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 67A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 12.4mΩ
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.5 EUR
37+2.34 EUR
46+1.87 EUR
52+1.67 EUR
60+1.43 EUR
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON INFNS30235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
103+2.09 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP12CN10N_DS_v01_08_en-1227332.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.48 EUR
100+1.78 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.37 EUR
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IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
auf Bestellung 7137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+2.46 EUR
100+1.75 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON INFNS30235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.65 EUR
73+3.18 EUR
103+2.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IPD12CN10NGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 67A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 12.4mΩ
auf Bestellung 1484 Stücke:
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100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IPD12CN10NGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.18 EUR
103+2.09 EUR
500+1.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD12CN10NGATMA1 Infineon_IPP12CN10N_DS_v01_08_en-1227332.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.44 EUR
10+2.48 EUR
100+1.78 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.37 EUR
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IPD12CN10NGATMA1 Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c
IPD12CN10NGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
auf Bestellung 7137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.64 EUR
10+2.46 EUR
100+1.75 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1 INFNS30235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD12CN10NGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+4.65 EUR
73+3.18 EUR
103+2.09 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH