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IPD130N10NF2SATMA1

IPD130N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPD130N10NF2S_DataSheet_v02_02_EN-3107513.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
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Technische Details IPD130N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V.

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IPD130N10NF2SATMA1 IPD130N10NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7f00cb13d86 Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
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IPD130N10NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd130n10nf2s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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