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IPD135N08N3GATMA1

Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4
Produktcode: 164353
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4 Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.75 EUR
5000+0.7 EUR
7500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD135N08N3_DS_v02_02_en-1122107.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 3836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.49 EUR
10+0.98 EUR
25+0.97 EUR
100+0.85 EUR
250+0.84 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4 Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
auf Bestellung 10519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.39 EUR
14+1.34 EUR
100+0.99 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS30356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS30356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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