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IPD135N08N3GATMA1

Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4
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IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 INFINEON INFNS30356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 235 Stücke:
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4 Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
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IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD135N08N3_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
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IPD135N08N3GATMA1
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IPD135N08N3GATMA1 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf
IPD135N08N3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD135N08N3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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596+1.09 EUR
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IPD135N08N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2110 Stücke:
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596+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
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IPD135N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 235 Stücke:
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212+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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IPD135N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPD135N08N3GATMA1 Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4
IPD135N08N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
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10+2.37 EUR
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IPD135N08N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
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IPD135N08N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD135N08N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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