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IPD18DP10LMATMA1

IPD18DP10LMATMA1 INFINEON

Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.42 EUR
114+1.89 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details IPD18DP10LMATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IPD18DP10LMATMA1 nach Preis ab 0.94 EUR bis 3.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 INFINEON Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43 Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
97+2.42 EUR
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500+1.59 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD18DP10LM_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.23 EUR
100+1.45 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
2500+0.96 EUR
5000+0.94 EUR
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IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43 Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1975 Stücke:
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6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPD18DP10LMATMA1 Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43
IPD18DP10LMATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2617 Stücke:
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1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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MOSFETs TRENCH >=100V
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1+3.37 EUR
10+2.23 EUR
100+1.45 EUR
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1000+1.08 EUR
2500+0.96 EUR
5000+0.94 EUR
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IPD18DP10LMATMA1 Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43
IPD18DP10LMATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1975 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
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