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IPD18DP10LMATMA1

IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies

infineonipd18dp10lmdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies infineonipd18dp10lmdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies infineonipd18dp10lmdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies infineonipd18dp10lmdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies infineonipd18dp10lmdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 INFINEON 3624248.pdf Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.69 EUR
127+1.69 EUR
500+1.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies infineonipd18dp10lmdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2459 Stücke:
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56+3.12 EUR
82+2.11 EUR
116+1.45 EUR
500+1.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies infineonipd18dp10lmdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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56+3.12 EUR
82+2.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD18DP10LM_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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1+3.72 EUR
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IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43 Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1042 Stücke:
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6+3.8 EUR
10+2.42 EUR
50+1.82 EUR
100+1.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 INFINEON 3624248.pdf Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
87+2.69 EUR
127+1.69 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IPD18DP10LMATMA1
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Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD18DP10LMATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
440+1.49 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 440 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
440+1.49 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 440 Stücke
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IPD18DP10LMATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
440+1.49 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 440 Stücke
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IPD18DP10LMATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.69 EUR
127+1.69 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.12 EUR
82+2.11 EUR
116+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.12 EUR
82+2.06 EUR
116+1.4 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.72 EUR
10+1.8 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.05 EUR
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IPD18DP10LMATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.8 EUR
10+2.42 EUR
50+1.82 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPD18DP10LMATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
auf Bestellung 2177 Stücke:
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64+3.95 EUR
87+2.69 EUR
127+1.69 EUR
500+1.37 EUR
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