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IPD22N08S2L50ATMA1

IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD22N08S2L_50-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426ee5f3b08&ack=t
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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5000+1.09 EUR
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Technische Details IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.0385 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0385ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IPD22N08S2L50ATMA1 nach Preis ab 1.01 EUR bis 4.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
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IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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395+1.65 EUR
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IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 INFINEON Infineon-IPD22N08S2L_50-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426ee5f3b08&ack=t Description: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.0385 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0385ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5989 Stücke:
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100+2.55 EUR
114+2.05 EUR
135+1.59 EUR
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auf Bestellung 1306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.74 EUR
68+2.5 EUR
107+1.52 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
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6+3.96 EUR
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IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 INFINEON 2577569.pdf Description: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
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Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.29 EUR
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Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+1.29 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.0385 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0385ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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100+2.55 EUR
114+2.05 EUR
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1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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68+2.5 EUR
107+1.52 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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auf Bestellung 1306 Stücke:
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47+3.76 EUR
67+2.57 EUR
106+1.58 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
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1000+1.25 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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