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IPD25N06S4L30ATMA2

IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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auf Bestellung 1258 Stücke:
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295+0.6 EUR
300+0.56 EUR
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Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
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auf Bestellung 36407 Stücke:
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auf Bestellung 2323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
141+1.65 EUR
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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2904 Stücke:
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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD25N06S4L_30_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET
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10+1.95 EUR
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IPD25N06S4L30ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1258 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
300+0.58 EUR
305+0.56 EUR
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IPD25N06S4L30ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1258 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
295+0.6 EUR
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IPD25N06S4L30ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
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Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.67 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD25N06S4L30ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
859+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 859 Stücke
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IPD25N06S4L30ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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859+0.76 EUR
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Mindestbestellmenge: 859 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 160304 Stücke:
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IPD25N06S4L30ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IPD25N06S4L30ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+2.7 EUR
141+1.65 EUR
203+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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IPD25N06S4L30ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
141+1.65 EUR
203+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD25N06S4L30ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 23507 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+3.17 EUR
10+1.95 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.79 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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