Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD25N06S4L30ATMA2
IPD25N06S4L30ATMA2

IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies

220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.49 EUR
305+0.47 EUR
310+0.44 EUR
315+0.42 EUR
500+0.40 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IPD25N06S4L30ATMA2 nach Preis ab 0.36 EUR bis 6.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.50 EUR
300+0.48 EUR
305+0.45 EUR
310+0.43 EUR
315+0.40 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 160304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1109+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 1109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 31565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1109+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 1109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1109+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 1109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.52 EUR
5000+0.50 EUR
7500+0.49 EUR
12500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD25N06S4L_30_DS_v01_01_EN-1731644.pdf MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 41492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.80 EUR
10+0.79 EUR
100+0.69 EUR
500+0.60 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+0.81 EUR
23+0.80 EUR
100+0.70 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
178+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 178
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : INFINEON 2371103.pdf Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : INFINEON 2371103.pdf Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Транзистор польовий TO-252-3 N-MOSFET Vds=60V, Id=25A, Rds=0,03hm, Pd=29W
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.51 EUR
10+5.70 EUR
100+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L-30ATMA2 IPD25N06S4L-30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies INFN-S-A0002864748-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH