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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2

Produktcode: 209229
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5327 Stücke:
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308+0.47 EUR
318+0.44 EUR
500+0.42 EUR
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2500+0.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 308
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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1258 Stücke:
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300+0.48 EUR
305+0.46 EUR
310+0.43 EUR
315+0.41 EUR
500+0.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 300
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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1258 Stücke:
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295+0.49 EUR
300+0.47 EUR
305+0.44 EUR
310+0.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 295
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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
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2500+0.51 EUR
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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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1000+0.56 EUR
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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD25N06S4L_30_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET
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2+1.41 EUR
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1000+0.59 EUR
2500+0.5 EUR
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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11322 Stücke:
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Anzahl Preis
10+1.95 EUR
15+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : INFINEON 2371103.pdf Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3914 Stücke:
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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : INFINEON 2371103.pdf Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies 220095187693088infineon-ipd25n06s4l_30-ds-v01_00-en.pdffileiddb3a30431ff98815012.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPD25N06S4L30ATMA2 Hersteller : Infineon Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IPD25N06S4L-30ATMA2 IPD25N06S4L-30ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies INFN-S-A0002864748-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
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LRS-350-12 Netzteil 350W 12V Ultraflach 30mm 1HU Einbau-Metallgehäuse
Produktcode: 108531
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description lrs-350-mean_well.pdf
LRS-350-12 Netzteil 350W 12V Ultraflach 30mm 1HU Einbau-Metallgehäuse
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Hersteller: MeanWell
Netzteile und Ladegeräte > Netzgeräte eingebaut (Metallgehäuse, offene, Modultyp)
Typ: MeanWell
Eingangsspannung: 180...264 VAC
Ausgangsspannung: 12 V
Ausgangsstrom: 29 A
Leistung, max: 350 W
Abmessungen: 215x115x30 mm
Wirkungsgrad und Arbeitstemperatur: 85%, -25...70°C
auf Bestellung 21 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+42.95 EUR
10+41 EUR
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Паста теплопровідна КПТ-8 (в тюбику 17г)
Produktcode: 57265
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Паста теплопровідна КПТ-8 (в тюбику 17г)
+1
Chemie > Wärmeleitende Materialien
Опис: Paste wärmeleitend
Призначення: Paste wärmeleitend
Упаковка / Розмір: 17 г
Тип: Термопаста
Теплопровідність: 0,65 W/mK
auf Bestellung 147 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1 EUR
10+0.8 EUR
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