IPD26N06S2L35ATMA2 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD26N06S2L35ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 129+ | 1.95 EUR |
| 174+ | 1.33 EUR |
| 223+ | 0.96 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
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Technische Details IPD26N06S2L35ATMA2 INFINEON
Description: INFINEON - IPD26N06S2L35ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD26N06S2L35ATMA2 nach Preis ab 0.7 EUR bis 3.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IPD26N06S2L35ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
auf Bestellung 4630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD26N06S2L35ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD26N06S2L35ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD26N06S2L35ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.19 EUR |
| 10+ | 1.89 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| 2500+ | 0.71 EUR |
| 10000+ | 0.7 EUR |
| IPD26N06S2L35ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V
auf Bestellung 1102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.44 EUR |
| 10+ | 2.18 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| IPD26N06S2L35ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)