IPD30N03S4L-09 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.28 EUR |
| 10+ | 1.06 EUR |
| 100+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| 2500+ | 0.54 EUR |
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Technische Details IPD30N03S4L-09 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ T2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 30A, Power dissipation: 42W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 15nC, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote IPD30N03S4L-09
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IPD30N03S4L09ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Power dissipation: 42W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD30N03S4L09ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
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