Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD33CN10NGATMA1
IPD33CN10NGATMA1

IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD33CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IPD33CN10NGATMA1 nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 8674ipp35cn10n_rev1.091.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 8674ipp35cn10n_rev1.091.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
84+1.78 EUR
85+1.68 EUR
109+1.26 EUR
250+1.20 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 8674ipp35cn10n_rev1.091.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+1.98 EUR
84+1.71 EUR
85+1.62 EUR
109+1.21 EUR
250+1.15 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP35CN10N_DS_v01_91_en-1731871.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 4156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.34 EUR
10+0.95 EUR
100+0.74 EUR
250+0.73 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
auf Bestellung 28538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.34 EUR
14+1.30 EUR
100+0.93 EUR
500+0.80 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Description: INFINEON - IPD33CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 8674ipp35cn10n_rev1.091.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD33CN10NGATMA1
Produktcode: 195321
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 8674ipp35cn10n_rev1.091.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD33CN10NGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 IPD33CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH