IPD33CN10NGATMA1
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V |
auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V |
auf Bestellung 27858 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
auf Bestellung 1843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon |
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 108A; 58W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 58W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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| RP-1205S Produktcode: 207083
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
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Gehäuse: SMB (DO-214AA)
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