IPD350N06LG Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 139+ | 1.26 EUR |
| 250+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| 2500+ | 1.01 EUR |
| 5000+ | 0.98 EUR |
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Technische Details IPD350N06LG Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 29A, Power dissipation: 68W, Case: DPAK3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 35mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 10nC, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote IPD350N06LG nach Preis ab 0.49 EUR bis 2.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPD350N06L G | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2 |
auf Bestellung 1269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD350N06L G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 29A Power dissipation: 68W Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 114 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD350N06L G |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
auf Bestellung 1269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.14 EUR |
| 10+ | 1 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2500+ | 0.55 EUR |
| 5000+ | 0.49 EUR |
| IPD350N06L G |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)