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IPD350N06LG

IPD350N06LG Infineon Technologies

ipd350n06lgrev1.1.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD350N06LG Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 29A, Power dissipation: 68W, Case: DPAK3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 35mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 10nC, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD350N06L G IPD350N06L G Infineon Technologies Infineon_IPD350N06LG_DS_v01_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
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IPD350N06L G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
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IPD350N06L G Infineon
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IPD350N06LG infineon 07+ to-252/d-pak
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IPD350N06L G
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
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On-state resistance: 35mΩ
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Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
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