IPD50N03S2L06ATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N03S2L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
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Technische Details IPD50N03S2L06ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N03S2L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm.
Weitere Produktangebote IPD50N03S2L06ATMA1 nach Preis ab 1.44 EUR bis 5.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPD50N03S2L06ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 4312 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50N03S2L06ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N03S2L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm |
auf Bestellung 4002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N03S2L06ATMA1 | Infineon |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD50N03S2L06ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.82 EUR |
| 10+ | 3.09 EUR |
| 50+ | 2.36 EUR |
| 100+ | 2.12 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| IPD50N03S2L06ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N03S2L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
Description: INFINEON - IPD50N03S2L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 4002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 5.65 EUR |
| 69+ | 3.37 EUR |
| 101+ | 2.14 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| IPD50N03S2L06ATMA1 |
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)