IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 744+ | 0.19 EUR |
| 1000+ | 0.18 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD50N04S408ATMA1 nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50N04S408ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50N04S408ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50N04S408ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 11920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50N04S408ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD50N04S408ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
auf Bestellung 6306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50N04S408ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 5799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD50N04S408ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 29763 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IPD50N04S408ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IPD50N04S408ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IPD50N04S408ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| IPD50N04S408ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 47A; Idm: 200A Case: PG-TO252-3-313 Mounting: SMD Technology: OptiMOS® -T2 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.9mΩ Drain current: 47A Power dissipation: 46W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 200A |
Produkt ist nicht verfügbar |