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IPD50N04S408ATMA1

IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies

infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 46W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm.

Weitere Produktangebote IPD50N04S408ATMA1 nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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235+0.74 EUR
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500+0.6 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.5 EUR
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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118+1.49 EUR
177+0.98 EUR
228+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
7500+0.39 EUR
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD50N04S4_08_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
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2+2.53 EUR
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500+0.81 EUR
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
auf Bestellung 29059 Stücke:
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95+2.65 EUR
172+1.36 EUR
234+0.92 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
auf Bestellung 29059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
172+1.36 EUR
234+0.92 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
13+1.71 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 562 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1141 Stücke:
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932+0.7 EUR
1010+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 932 Stücke
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IPD50N04S408ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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1010+0.64 EUR
10000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 932 Stücke
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IPD50N04S408ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
932+0.7 EUR
1010+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 932 Stücke
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IPD50N04S408ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45
IPD50N04S408ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD50N04S408ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 11920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
235+0.74 EUR
246+0.68 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.5 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9420 Stücke:
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118+1.49 EUR
177+0.98 EUR
228+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
7500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 5349 Stücke:
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2+2.53 EUR
10+1.39 EUR
100+1 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD50N04S408ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
auf Bestellung 29059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
95+2.65 EUR
172+1.36 EUR
234+0.92 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IPD50N04S408ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
auf Bestellung 29059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.65 EUR
172+1.36 EUR
234+0.92 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
5000+0.51 EUR
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IPD50N04S408ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45
IPD50N04S408ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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AnzahlPrivatkunde
8+2.73 EUR
13+1.71 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
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IPD50N04S408ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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