IPD50N10S3L-16 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 78+ | 2.28 EUR |
| 100+ | 2.15 EUR |
| 250+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.9 EUR |
| 1000+ | 1.82 EUR |
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Technische Details IPD50N10S3L-16 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 50A, Power dissipation: 100W, Case: DPAK3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 15mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 49nC, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote IPD50N10S3L-16 nach Preis ab 1.73 EUR bis 5.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPD50N10S3L-16 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T |
auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N10S3L-16 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 100W Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 49nC Application: automotive industry |
auf Bestellung 1867 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 43 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD50N10S3L-16 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
MOSFETs N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.37 EUR |
| 10+ | 2.67 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| 1000+ | 1.83 EUR |
| 2500+ | 1.76 EUR |
| 5000+ | 1.73 EUR |
| IPD50N10S3L-16 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
auf Bestellung 1867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)