Produkte > INFINEON > IPD50P04P413ATMA1
IPD50P04P413ATMA1

IPD50P04P413ATMA1 INFINEON

Infineon-IPD50P04P4_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3&ack=t
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
auf Bestellung 18434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD50P04P413ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 58W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm.

Weitere Produktangebote IPD50P04P413ATMA1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50P04P4_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3&ack=t Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
auf Bestellung 18434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50P04P413ATMA1 Infineon-IPD50P04P4_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3&ack=t
IPD50P04P413ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
auf Bestellung 18434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH