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IPD50P04P4L11ATMA1

IPD50P04P4L11ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPD50P04P4L_11_DataSheet_v01_01_EN-3362551.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
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Technische Details IPD50P04P4L11ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 58W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm.

Weitere Produktangebote IPD50P04P4L11ATMA1 nach Preis ab 1.21 EUR bis 2.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD50P04P4L11ATMA1 IPD50P04P4L11ATMA1 INFINEON INFNS16981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
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IPD50P04P4L11ATMA1 IPD50P04P4L11ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50p04p4l11datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: INFINEON
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Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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