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IPD50P04P4L11ATMA2

IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.92 EUR
5000+0.84 EUR
7500+0.82 EUR
12500+0.77 EUR
17500+0.76 EUR
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Technische Details IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 58W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm.

Weitere Produktangebote IPD50P04P4L11ATMA2 nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.81 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50p04p4l11datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
589+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 589 Stücke
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IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50p04p4l11datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 28333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
589+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
10000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 589 Stücke
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IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50p04p4l11datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
589+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 589 Stücke
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IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50p04p4l11datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.76 EUR
94+1.84 EUR
133+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50p04p4l11datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1223 Stücke:
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64+2.76 EUR
94+1.8 EUR
133+1.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 INFINEON INFN-S-A0008993228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
auf Bestellung 60181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.12 EUR
108+2.15 EUR
152+1.42 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 INFINEON INFN-S-A0008993228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
auf Bestellung 60181 Stücke:
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100+3.12 EUR
108+2.15 EUR
152+1.42 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 31046 Stücke:
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5000+0.98 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 28333 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4951 Stücke:
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IPD50P04P4L11ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IPD50P04P4L11ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+2.76 EUR
94+1.84 EUR
133+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IPD50P04P4L11ATMA2 infineonipd50p04p4l11datasheetv0101en.pdf
IPD50P04P4L11ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1223 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
64+2.76 EUR
94+1.8 EUR
133+1.23 EUR
500+0.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IPD50P04P4L11ATMA2 INFN-S-A0008993228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD50P04P4L11ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
auf Bestellung 60181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+3.12 EUR
108+2.15 EUR
152+1.42 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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IPD50P04P4L11ATMA2 INFN-S-A0008993228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD50P04P4L11ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
auf Bestellung 60181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.12 EUR
108+2.15 EUR
152+1.42 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD50P04P4L11ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 31046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.33 EUR
10+2.11 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 8677 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+3.81 EUR
10+2.39 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.11 EUR
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5000+0.98 EUR
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