IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 58W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm.
Weitere Produktangebote IPD50P04P4L11ATMA2 nach Preis ab 0.62 EUR bis 3.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPD50P04P4L11ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50P04P4L11ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50P04P4L11ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 9893 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50P04P4L11ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 28333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50P04P4L11ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 4951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50P04P4L11ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS® -P2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -40A Power dissipation: 58W Case: PG-TO252-3-313 Gate-source voltage: -16...5V On-state resistance: 10.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -200A Gate charge: 14nC |
auf Bestellung 2335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50P04P4L11ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 36482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50P04P4L11ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 10712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50P04P4L11ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 58W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm |
auf Bestellung 60526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IPD50P04P4L11ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 58W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm |
auf Bestellung 60526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD50P04P4L11ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.68 EUR |
| IPD50P04P4L11ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.74 EUR |
| 5000+ | 0.69 EUR |
| 7500+ | 0.66 EUR |
| 12500+ | 0.63 EUR |
| 17500+ | 0.62 EUR |
| IPD50P04P4L11ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 589+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.85 EUR |
| IPD50P04P4L11ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 28333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 589+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.85 EUR |
| 10000+ | 0.74 EUR |
| IPD50P04P4L11ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 589+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.85 EUR |
| IPD50P04P4L11ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -200A
Gate charge: 14nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -200A
Gate charge: 14nC
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 42+ | 1.73 EUR |
| IPD50P04P4L11ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.71 EUR |
| 11+ | 1.72 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.91 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| IPD50P04P4L11ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 10712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.2 EUR |
| 10+ | 2.01 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| 2500+ | 0.86 EUR |
| 5000+ | 0.82 EUR |
| IPD50P04P4L11ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
auf Bestellung 60526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPD50P04P4L11ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
auf Bestellung 60526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)